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ENERGIE/1141: Graphen bleibt Graphen auch unter Silizium (idw)


Helmholtz-Zentrum Berlin für Materialien und Energie GmbH - 08.10.2013

Graphen bleibt Graphen auch unter Silizium



Dr. Marc Gluba und Prof. Dr. Norbert Nickel vom HZB-Institut für Silizium-Photovoltaik haben gezeigt, dass Graphen seine beeindruckenden Eigenschaften behält, auch wenn es mit einer dünnen Silizium-Schicht bedeckt wird. Damit eröffnen sie für die Dünnschicht-Photovoltaik ganz neue Möglichkeiten.

Graphen ist extrem leitfähig und vollkommen lichtdurchlässig, dabei billig und ungiftig. Damit eignet es sich perfekt als transparente Kontaktschicht in Solarzellen zum Abführen des Stroms, ohne den Lichteinfall zu verringern, zumindest theoretisch. Ob dies auch in der realen Welt funktioniert, war aber fraglich, denn "ideales" Graphen - eine freischwebende flache Wabenstruktur aus einer einzigen Lage Kohlenstoffatome - gibt es nicht: Wechselwirkungen mit benachbarten Schichten können die Eigenschaften von Graphen jedoch drastisch verändern.

"Wir haben untersucht, wie sich die Leitungseigenschaften von Graphen verändern, wenn es in einen Schichtstapel ähnlich dem einer Dünnschicht-Silizium-Solarzelle eingebaut wird. Wir waren selbst überrascht, dass wir nachweisen konnten, dass sich diese Eigenschaften dadurch nur wenig verändert haben", erklärt Marc Gluba. Sie stellten dafür Graphen auf einer Kupferfolie her, transferierten es auf ein Glas-Substrat und schieden dann eine dünne Schicht aus Silizium darüber ab. Dabei untersuchten sie zwei Varianten, wie sie auch in den gängigen Silizium-Dünnschicht-Technologien verwendet werden: zum einen eine Probe mit einer amorphen Siliziumschicht, in der die Silizium-Atome wie in einer erstarrten Schmelze ungeordnet sind; zum anderen untersuchten sie, wie sich ein typischer Kristallisationsprozess, der das ungeordnete Silizium in seine kristalline Phase überführt, auf die Eigenschaften des Graphens auswirkt. Obwohl sich das Gefüge der Deckschicht infolge der Erwärmung auf mehrere hundert Grad Celsius komplett verändert, ist das vergrabene Graphen auch danach noch nachzuweisen.

"Das haben wir so nicht erwartet, aber unser Ergebnis zeigt: Graphen bleibt Graphen, auch unter Silizium", sagt Norbert Nickel. Ihre Messungen der Beweglichkeit über den Hall-Effekt zeigten, dass die Beweglichkeit von Ladungsträgern in der eingebetteten Graphen-Schicht rund 30mal höher liegt als in konventionellen Kontaktschichten aus Zinkoxid. "Allerdings ist es noch sehr schwierig, diese nur eine Atomlage dünne Kontaktschicht mit äußeren Kontakten zu verbinden, daran müssen wir noch arbeiten", sagt Gluba. "Die Kollegen von den Dünnschichttechnologien spitzen schon die Ohren und wollen das einbauen", sagt Nickel. Die Forscher haben ihre Messungen an Quadratzentimeter großen Proben gemacht. Es ist praktisch aber möglich, viel größere Flächen mit Graphen zu beschichten.

Die Arbeit wurde kürzlich in Applied Physics Letters Vol. 103, 073102 (2013) publiziert.
Autoren: M. A. Gluba, D. Amkreutz, G. V. Troppenz, J. Rappich, and N. H. Nickel
doi: 10.1063/1.4818461

Weitere Informationen unter:
http://apl.aip.org/resource/1/applab/v103/i7/p073102_s1

Kontaktdaten zum Absender der Pressemitteilung unter:
http://idw-online.de/de/institution111

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Quelle:
Informationsdienst Wissenschaft e. V. - idw - Pressemitteilung
Helmholtz-Zentrum Berlin für Materialien und Energie GmbH,
Dr. Ina Helms, 08.10.2013
WWW: http://idw-online.de
E-Mail: service@idw-online.de


veröffentlicht im Schattenblick zum 10. Oktober 2013